| 发明名称 | 一种微晶格失配量子阱太阳能电池 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种微晶格失配量子阱太阳能电池，以p型Ge为衬底，自衬底上表面起由下而上依次层叠排列着In<sub>0.5</sub>Ga<sub>0.5</sub>P成核层、In<sub>0.01</sub>Ga<sub>0.99</sub>As缓冲层、分布式布拉格反射镜、第一隧道结、In<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>P渐变缓冲层、In<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>As中电池、第二隧道结、In<sub>z</sub>Ga<sub>1‑z</sub>P顶电池、In<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>As欧姆接触层、正面电极、减反射膜；在p型Ge衬底下表面制备有背面电极。本实用新型可以有效消除微晶格失配产生的位错等缺陷，并采用分布式布拉格反射镜增强In<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>As中电池对太阳光子的利用率，最终可以提高中电池和顶电池的电流密度，提升电池的光电转换效率，并且此电池结构不会引发制造工艺的复杂化问题，是非常有前景的一项高效太阳能电池技术。 | ||
| 申请公布号 | CN206098436U | 申请公布日期 | 2017.04.12 |
| 申请号 | CN201620795149.8 | 申请日期 | 2016.07.26 |
| 申请人 | 中山德华芯片技术有限公司 | 发明人 | 周文远;刘建庆;吴波;刘雪珍;张小宾;杨柏 |
| 分类号 | H01L33/04(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/04(2010.01)I |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人 | 梁莹 |
| 主权项 | 一种微晶格失配量子阱太阳能电池，其特征在于：以p型Ge为衬底，自衬底上表面起由下而上依次层叠排列着In<sub>0.5</sub>Ga<sub>0.5</sub>P成核层、In<sub>0.01</sub>Ga<sub>0.99</sub>As缓冲层、分布式布拉格反射镜、第一隧道结、In<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>P渐变缓冲层、In<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>As中电池、第二隧道结、In<sub>z</sub>Ga<sub>1‑z</sub>P顶电池、In<sub>y</sub>Ga<sub>1‑</sub><sub>y</sub>As欧姆接触层、正面电极、减反射膜，在p型Ge衬底的下表面制备有背面电极。 | ||
| 地址 | 528437 广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层 | ||