半导体元件、半导体元件的制造方法

摘要

本发明目的是提供能够在衬底面上形成没有外观异常的导电膜的半导体元件以及该半导体元件的制造方法。其特征在于，包括：六方晶系且衬底面为（0001）面的衬底（10）；和在该衬底面上形成的多个导电膜（12）。该多个导电膜包括：第一导电膜（14），晶体结构为不拥有与该衬底的该衬底面中的原子排列具有同等的对称性的平面；以及第二导电膜（16），形成于该第一导电膜的上方，晶体结构为具有至少一个与该衬底的该衬底面中的原子排列具有同等的对称性的平面，该第二导电膜为粒径是15μm以下的多晶。

主权项

一种半导体元件的制造方法，其特征在于：具有在为六方晶系且衬底面为(0001)面的衬底的所述衬底面之上形成多个导电膜的工序，所述多个导电膜包括：第一导电膜，晶体结构为不拥有与所述衬底的所述衬底面中的原子排列具有同等的对称性的平面；第二导电膜，形成于所述第一导电膜的上方，晶体结构为具有至少一个与所述衬底的所述衬底面中的原子排列具有同等的对称性的平面，所述第二导电膜为粒径是15μm以下的多晶，所述多个导电膜中，所述第一导电膜之上形成的导电膜的至少一层以镀覆法形成。