| 主权项 |
在半导体衬底上制造的集成电路，包括：第一和第二双极型晶体管，所述第一双极型晶体管的基极和集电极联接到所述第二双极型晶体管的基极，并且所述第一双极型晶体管的发射极联接到地电位；第三双极型晶体管，所述第三双极型晶体管的发射极联接到所述地电位，所述第三双极型晶体管的基极联接到所述第二双极型晶体管的集电极；第一和第二电阻器，所述第一和第二电阻器串联联接在所述第二双极型晶体管的发射极和所述地电位之间，所述第一和第二电阻器分别具有第一和第二电阻值R1和R2，并分别具有第三和第二温度系数TC3和TC2；第三电阻器，所述第三电阻器联接在一节点和所述第二双极型晶体管的集电极之间，当电力被供应到所述集成电路时，第一电流流过所述第三电阻器，所述第三电阻器具有第三电阻值R3以及第三温度系数TC3，其中所述第三电阻值使得在温度变化下，所述第三双极型晶体管的基极－发射极电压的百分比变化等于所述第三电阻器两端的电压降的百分比变化，从而导致在所述节点处生成在温度变化下恒定的第一电压；以及电流镜，所述电流镜联接到所述第一和第二双极型晶体管，使得当电力被供应到所述集成电路时，第一电流流过所述第一和第二双极型晶体管中的每一个，所述第一和第二电阻值使得所述第一电流在温度变化下恒定，所述第一和第二双极型晶体管的基极－发射极电压之差的温度系数TC1等于TC2×(R2/(R1+R2))+TC3×(R1/(R1+R2))。 |
