发明名称 |
薄TIM无核高密度无凸点封装的形成方法和由此形成的结构 |
摘要 |
本发明描述形成微电子器件结构的方法。这些方法可包括:将多个支承环放置在支承架的粘性层上,其中支承环被置于支承架的空腔内;将多个薄管芯放置在支承架的底座上,其中薄管芯的顶面基本与支承环的顶面齐平;然后在管芯的顶面上堆积多层。 |
申请公布号 |
CN102637675B |
申请公布日期 |
2017.04.12 |
申请号 |
CN201210102542.0 |
申请日期 |
2008.09.25 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
汤加苗;D·陆;赵柔刚 |
分类号 |
H01L23/538(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/538(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
邢德杰 |
主权项 |
一种封装结构,包括:支承架,包括至少一个底座和空腔;至少一个管芯,被分别设置在所述至少一个底座上;支承环,在所述管芯周围延伸,并设置在所述空腔中,所述支承环的厚度大于所述管芯的厚度;多个衬底积层,设置在所述至少一个管芯的第一表面上;其中所述支承架能够从所述至少一个管芯和所述支承环上移除以便热界面材料设置在所述管芯的后侧上并且所述管芯被置于所述衬底积层和所述热界面材料之间。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |