发明名称 小结构的局部真空中修改
摘要 本发明涉及小结构的局部真空中修改。使用一种电荷转移机制来针对小结构来局部淀积或去除材料。创建局部电化学电池而不必将整个工件浸入浴中。电荷转移机制可以与荷电粒子束或激光系统一起使用以修改小结构,诸如集成电路或微机电系统。电荷转移工艺可以在空气中执行,在一些实施例中可以在真空室中执行。
申请公布号 CN103066012B 申请公布日期 2017.04.12
申请号 CN201210345182.7 申请日期 2012.09.18
申请人 FEI 公司 发明人 A.P.J.M.博曼;M.托思;S.兰多夫;D.H.纳鲁姆
分类号 H01L21/768(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 马永利;王忠忠
主权项 一种将材料局部淀积到表面上的方法,其中所述表面是绝缘表面或者是电隔离传导表面,所述方法包括:使用纳米笔将电解质施加到表面上,所述纳米笔包括纳米毛细管、纳米注射器或纳米移液器并且包括关联的电极,其中使用纳米笔将电解质施加到表面上包括使用纳米毛细管、纳米注射器或纳米移液器把电介质递送至所述表面;以及按照如下方式施加电流通过电解质以开始电化学反应,用于将电解质的成分淀积到表面上:将电位施加到相关联的电极;以及引导荷电粒子束以向电解质提供电荷。
地址 美国俄勒冈州