半导体结构及其形成方法

摘要

本发明涉及半导体结构及其形成方法。提供了一种结构，与使用反向偏置pn结二极管相反，在该结构中背栅极区域彼此物理分开。在本公开中，背栅极区域可以首先穿过绝缘体上极薄半导体层（ETSOI）衬底的掩埋电介质材料形成。在掺杂剂激活之后，可以进行标准器件制造工艺。然后可以从原始ETSOI除去ETSOI衬底的半导体基层部分以暴露背栅极的表面。

主权项

一种形成半导体结构的方法，包括：在绝缘体上半导体衬底的半导体基层内形成不相连的第一导电类型的半导体区域，其中在每个不相连的第一导电类型的半导体区域之间存在间隙，并且其中所述绝缘体上半导体衬底还包括位于所述半导体基层的表面上的至少一个掩埋电介质材料层、以及位于所述至少一个掩埋电介质材料层的最上表面上的绝缘体上半导体层；图案化所述绝缘体上半导体层，形成至少一个第一有源器件区域和第二有源器件区域，其中所述第一有源器件区域位于所述不相连的第一导电类型的半导体区域之一上并且所述第二有源器件区域位于所述不相连的第一导电类型的半导体区域中的另一个顶上，并且其中所述第一和第二有源器件区域都与所述间隙垂直偏移；在所述第一有源器件区域中形成第一晶体管并且在所述第二有源器件区域中形成第二晶体管；形成跨骑所述第一和第二晶体管中的每一个的互连结构；除去所述绝缘体上半导体衬底的所述半导体基层，停止在所述不相连的第一导电类型的半导体区域中每一个的表面上以及所述至少一个掩埋电介质材料层的表面上。