半导体器件的电容器和寄存器、存储系统及制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的电容器，所述电容器包括：电容器结构，所述电容器结构被配置成包括交替层叠的电极层和电介质层、边缘区以及设置在边缘区之间的中心区，所述边缘区每个都被阶梯式图案化；牺牲层，所述牺牲层设置在电容器结构的边缘区中的各个电极层内；以及支撑插塞，所述支撑插塞形成在电容器结构的中心区中，并且被配置成穿通电极层和电介质层。

主权项

一种半导体器件的电容器，包括：电容器结构，在所述电容器结构上限定有边缘区和设置在所述边缘区之间的中心区，所述边缘区每个都被阶梯式图案化，并且所述电容器结构被配置成包括交替层叠的电极层和电介质层；牺牲层，所述牺牲层设置在所述电容器结构的所述边缘区中的各个电极层内；以及支撑插塞，所述支撑插塞形成在所述电容器结构的所述中心区中，并且被配置成穿通所述电极层和所述电介质层。