| 发明名称 | 具有改善的编程可靠性的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明可以提供一种半导体存储器件来改善在半导体存储器件的编程操作中易受编程干扰现象影响的存储单元的编程可靠性。在本发明的一个方面，提供了一种半导体存储器件，包括：存储串，包括第一单元部分和第二单元部分，第一单元部分和第二单元部分每个都包括多个存储单元，第二单元部分设置在第一单元部分之上；以及控制逻辑，配置成在编程操作中控制外围电路，使得位于第一单元部分的顶部的至少两个存储单元中的每个和位于第二单元部分的底部的至少两个存储单元中的每个被编程为相比于第一单元部分和第二单元部分中的其余存储单元而具有较小的数据比特位。 | ||
| 申请公布号 | CN106560896A | 申请公布日期 | 2017.04.12 |
| 申请号 | CN201610164698.X | 申请日期 | 2016.03.22 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 安正烈;徐智贤;郑圣蓉 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 李少丹;毋二省 |
| 主权项 | 一种半导体存储器件，包括：存储串，包括第一单元部分和第二单元部分，第一单元部分和第二单元部分每个都包括多个存储单元，第二单元部分设置在第一单元部分之上；外围电路，配置成在编程操作中对所述多个存储单元编程；以及控制逻辑，配置成：在编程操作中控制外围电路，使得位于第一单元部分的顶部的至少两个存储单元中的每个和位于第二单元部分的底部的至少两个存储单元中的每个被编程为相比于第一单元部分和第二单元部分中的其余存储单元而具有较小的数据比特位。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||