| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法以及电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供能够抑制有机半导体膜因应力而产生特性劣化的半导体器件及其制造方法以及电子装置，所述半导体器件包括：门电极；用于形成沟道的有机半导体膜；以及一对源漏电极，其形成于所述有机半导体膜上，所述一对源漏电极分别包括依次层叠的连接层、缓冲层及布线层。 | ||
| 申请公布号 | CN103633244B | 申请公布日期 | 2017.04.12 |
| 申请号 | CN201310351161.0 | 申请日期 | 2013.08.13 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 石井由威;小野秀树 |
| 分类号 | H01L51/05(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/05(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 褚海英;陈桂香 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其包括：门电极；用于形成沟道的有机半导体膜；以及一对源漏电极，其形成于所述有机半导体膜上，所述一对源漏电极分别包括依次层叠的连接层、缓冲层及布线层，其中，所述缓冲层包括聚乙撑二氧噻吩。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||