设定存储装置的编程阈值的方法

摘要

本发明提供一种设定存储装置的编程阈值的方法，确定超出存储单元擦除阈值的擦除方向的差分电压，所述差分电压是线性地决定下一个编程阶段的对应的编程阈值，所述存储单元基于通过其无源层与有源层的离子移动而操作；基于至少部分所述差分电压来设定所述下一个编程阶段的所述编程阈值；以及通过施加所述差分电压加上所述擦除阈值于所述存储单元上而擦除所述存储单元。本发明提供电流‑电压值域，与/或频率‑时间值域，以助于调整聚合物存储单元的编程阈值。

主权项

一种设定存储装置的编程阈值的方法，包含：确定超出存储单元的擦除阈值的擦除方向的电压差，其中所述电压差是线性地决定下一个编程阶段的对应的编程阈值，并且其中所述存储单元基于通过其无源层与有源层的离子移动而操作；基于所述电压差来设定所述下一个编程阶段的所述编程阈值；以及通过施加所述电压差加上所述擦除阈值于所述存储单元上而擦除所述存储单元。