| 摘要 |
Halbleitervorrichtung mit: einem Halbleitersubstrat (7), das einen ersten Leitungstyp aufweist und eine obere Oberfläche, an der ein vertiefter Abschnitt (12) ausgebildet ist, einer Elektrodenschicht (8), die in einer Oberfläche des Halbleitersubstrats so ausgebildet ist, daß sie an den vertieften Abschnitt angrenzt und einen zweiten Leitungstyp aufweist, einer RESURF-Schicht (9), die in dem Halbleitersubstrat so ausgebildet ist, daß sie in Kontakt zu einer Bodenfläche des vertieften Abschnitts ist und in Kontakt zu einer Bodenfläche der Elektrodenschicht (8) ist und Verunreinigungen des zweiten Leitungstyps in einer Konzentration aufweist, die niedriger ist als die Konzentration der Elektrodenschicht, einer Isolationsschicht (15), die direkt auf der Deckfläche des Halbleitersubstrats so ausgebildet ist, daß sie den vertieften Abschnitt ausfüllt, und einer Feldplattenelektrode (11), die auf der Isolationsschicht über dem vertieften Abschnitt ausgebildet ist, wobei die Isolationsschicht eine thermische Oxidschicht ist. |
