垂直隧穿场效应晶体管单元

摘要

本发明公开了一种垂直隧穿场效应晶体管(TFET)器件。该TFET器件包括：源极接触件，位于源极区上；多个栅极接触件，位于栅极堆叠件的平面部分上；以及多个漏极接触件，设置在漏极区上。TFET器件的源极接触件与其他两个TFET器件的其他两个相邻的源极接触件进行排列，使得每一个源极接触件都位于等边三角形的三个角中的一个角上。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底；突起结构，设置在所述衬底上方并且从所述衬底的平面突出；栅极堆叠件，设置在所述衬底的上方，所述栅极堆叠件具有关于所述突起结构对称且与所述衬底的表面平行的平面部分以及环绕截锥形的所述突起结构的中部的栅极表面；以及源极区，设置为截锥形的所述突起结构的顶部，所述源极区包括与所述栅极堆叠件的所述栅极表面的顶部重叠的部分；漏极区，设置在所述衬底的上方、对称地与所述突起结构相邻且延伸至所述突起结构的底部来作为凸起漏极区；源极接触件，设置在所述源极区上；栅极接触件，设置在所述栅极堆叠件的平面部分上；漏极接触件，设置在所述漏极区上；以及所述源极接触件与其他两个相邻的半导体器件的其他两个源极接触件进行排列，使得每一个源极接触件都位于等边三角形的三角中的一角上。