| 发明名称 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域，其中在所述NMOS区域和所述PMOS区域上形成有若干鳍片；步骤S2：在所述PMOS区域的所述鳍片上形成离子扩散阻挡层，以防止离子扩散；步骤S3：在所述NMOS区域的所述鳍片上和所述PMOS区域的所述离子扩散阻挡层上形成含硼材料层和覆盖层；步骤S4：在所述半导体衬底上形成隔离材料层，以部分覆盖所述鳍片，形成目标高度的鳍片；步骤S5：去除露出的所述鳍片上的所述含硼材料层和所述覆盖层，同时去除所述PMOS区域中露出的所述鳍片上的所述离子扩散阻挡层，以露出所述鳍片；步骤S6：执行退火步骤，以使所述含硼材料中的硼进行扩散掺杂。 | ||
| 申请公布号 | CN106558549A | 申请公布日期 | 2017.04.05 |
| 申请号 | CN201510621757.7 | 申请日期 | 2015.09.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 周飞 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域，其中在所述NMOS区域和所述PMOS区域上形成有若干鳍片；步骤S2：在所述PMOS区域的所述鳍片上形成离子扩散阻挡层，以防止离子扩散；步骤S3：在所述NMOS区域的所述鳍片上和所述PMOS区域的所述离子扩散阻挡层上形成含硼材料层和覆盖层；步骤S4：在所述半导体衬底上形成隔离材料层，以部分覆盖所述鳍片，形成目标高度的鳍片；步骤S5：去除露出的所述鳍片上的所述含硼材料层和所述覆盖层，同时去除所述PMOS区域中露出的所述鳍片上的所述离子扩散阻挡层，以露出所述鳍片；步骤S6：执行退火步骤，以使所述含硼材料中的硼进行扩散掺杂。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||