| 发明名称 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干鳍片以及环绕所述鳍片的虚拟栅极氧化物层和虚拟栅极，在所述半导体衬底上还形成有填充相邻所述虚拟栅极之间间隙的层间介电层；步骤S2：去除所述虚拟栅极和所述虚拟栅极氧化物层，以形成虚拟开口，露出所述半导体衬底；步骤S3：将露出的所述半导体衬底进行化学氧化，以形成第一界面层；步骤S4：执行原位水蒸气氧化步骤，以在所述第一界面层的下方形成第二界面层；步骤S5：执行退火步骤，以使所述第一界面层致密化；步骤S6：选用SC1清洗液对所述第一界面层进行湿法清洗，以形成用于沉积高K介电层的结合层。 | ||
| 申请公布号 | CN106558546A | 申请公布日期 | 2017.04.05 |
| 申请号 | CN201510615428.1 | 申请日期 | 2015.09.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 周飞 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干鳍片以及环绕所述鳍片的虚拟栅极氧化物层和虚拟栅极，在所述半导体衬底上还形成有填充相邻所述虚拟栅极之间间隙的层间介电层；步骤S2：去除所述虚拟栅极和所述虚拟栅极氧化物层，以形成虚拟开口，露出所述半导体衬底；步骤S3：将露出的所述半导体衬底进行化学氧化，以形成第一界面层；步骤S4：执行原位水蒸气氧化步骤，以在所述第一界面层的下方形成第二界面层；步骤S5：执行退火步骤，以使所述第一界面层致密化；步骤S6：选用SC1清洗液对所述第一界面层进行湿法清洗，以形成用于沉积高K介电层的结合层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||