一种基片的加热设备及加热方法

摘要

本发明提供了一种基片的加热设备及加热方法，涉及半导体技术领域，能够缩短基片的平均加热去气时长。其中基片的加热设备包括：加热腔室及位于加热腔室内的第一承载装置、第一加热装置、第二承载装置和第二加热装置；第一承载装置承载未加热的基片，第一加热装置对未加热的基片进行预加热，第二承载装置承载预加热后的基片，第二加热装置对预加热后的基片进行再加热；或者第二承载装置承载未加热的基片，第二加热装置对未加热的基片进行预加热，第一承载装置承载预加热后的基片，第一加热装置对预加热后的基片进行再加热；当前基片的预加热与上一基片的再加热同时进行，当前基片的再加热与下一基片的预加热同时进行。

主权项

一种基片的加热设备，其特征在于，包括：加热腔室及位于所述加热腔室内的第一承载装置、第一加热装置、第二承载装置和第二加热装置，其中所述第一承载装置与所述第一加热装置对应设置，所述第二承载装置与所述第二加热装置对应设置；所述第一承载装置用于承载未加热的基片，所述第一加热装置用于对所述未加热的基片进行预加热，所述第二承载装置用于承载预加热后的基片，所述第二加热装置用于对所述预加热后的基片进行再加热；或者，所述第二承载装置用于承载未加热的基片，所述第二加热装置用于对所述未加热的基片进行预加热，所述第一承载装置用于承载预加热后的基片，所述第一加热装置用于对所述预加热后的基片进行再加热；其中，当前基片的预加热与上一基片的再加热同时进行，当前基片的再加热与下一基片的预加热同时进行。