发明名称 | 用于高能量密度多层陶瓷电容器的纳米结构化介电材料 | ||
摘要 | 多层陶瓷电容器,其具有多个电极层和多个基本上为二氧化钛的介电层;其中各单独的二氧化钛介电层基本上无孔隙,其中基本上为二氧化钛的各单独的介电层位于两个单独的电极层之间,其中基本上为二氧化钛的各单独的介电层具有在约200至约400纳米的平均粒度,其中基本上为二氧化钛的各单独的介电层具有小于约500纳米的最大粒径。通常,基本上为二氧化钛的各单独的介电层还包含选自P、V、Nb、Ta、Mo、W及其组合的至少一种掺杂物,所包含的掺杂物通常是以小于约0.01原子百分率的量而存在。 | ||
申请公布号 | CN104169080B | 申请公布日期 | 2017.04.05 |
申请号 | CN201280055648.8 | 申请日期 | 2012.09.13 |
申请人 | 法蒂·多甘;伊恩·伯恩;艾伦·德沃 | 发明人 | 法蒂·多甘;伊恩·伯恩;艾伦·德沃 |
分类号 | B32B18/00(2006.01)I | 主分类号 | B32B18/00(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张萍;李炳爱 |
主权项 | 多层陶瓷电容器,其包含:多个电极层;和多个基本上为二氧化钛的介电层;其中基本上为二氧化钛的各单独的介电层位于两个单独的电极层之间;其中基本上为二氧化钛的各单独的介电层具有在200和300纳米之间的平均粒径;其中基本上为二氧化钛的各单独的介电层具有400纳米的最大粒径,其中基本上为二氧化钛的各单独的介电层还包含选自P、V、Nb、Ta、Mo、W及其组合的具有较高电荷的至少一种给予体掺杂物;并且其中所包含的给予体掺杂物是以0.01‑0.1原子百分率的量存在,和其中基本上为二氧化钛的各单独的介电层还包含选自Co、Ni、Fe、Mn、Mg及其组合的具有较低电荷的至少一种接受体掺杂物;并且其中所包含的接受体掺杂物是以0.01‑0.1原子百分率的量存在。 | ||
地址 | 美国密苏里州 |