| 发明名称 | 一种半导体结构及其蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体结构的蚀刻方法，所述半导体结构包括第一组绝缘层，位于所述第一组绝缘之上的第二组绝缘层，以及位于所述第二组绝缘层之上的第三组绝缘层，所述第一组绝缘层、所述第二组绝缘层、所述第三组绝缘层均包含一层或多层含硅绝缘层；所述蚀刻方法包括：以摩尔比为第一比例的CF<sub>4</sub>与C<sub>4</sub>F<sub>6</sub>的混合气为蚀刻气体蚀刻所述第三组绝缘层；以摩尔比为第二比例的CF<sub>4</sub>与C<sub>4</sub>F<sub>6</sub>的混合气为蚀刻气体蚀刻所述第二组绝缘层；及以C<sub>4</sub>F<sub>6</sub>为蚀刻气体蚀刻所述第一组绝缘层。本发明所提供的蚀刻方法，采用不同比例的蚀刻气体对各层进行蚀刻，使半导体结构的蚀刻孔的角度控制在50°‑80°之间，且对多晶硅具有很高的选择比。 | ||
| 申请公布号 | CN104795502B | 申请公布日期 | 2017.04.05 |
| 申请号 | CN201410029693.7 | 申请日期 | 2014.01.22 |
| 申请人 | 上海和辉光电有限公司 | 发明人 | 黄子晏;谭莉;林信安;林志明;廖子毅 |
| 分类号 | H01L51/50(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 刘春生;于宝庆 |
| 主权项 | 一种半导体结构的蚀刻方法，所述半导体结构包括第一组绝缘层，位于所述第一组绝缘层之上的第二组绝缘层，以及位于所述第二组绝缘层之上的第三组绝缘层，所述第一组绝缘层、所述第二组绝缘层、所述第三组绝缘层均包含一层或多层含硅绝缘层；所述蚀刻方法包括：以摩尔比为第一比例的CF<sub>4</sub>与C<sub>4</sub>F<sub>6</sub>的混合气为蚀刻气体蚀刻所述第三组绝缘层，所述第一比例为8:1～10:1；以摩尔比为第二比例的CF<sub>4</sub>与C<sub>4</sub>F<sub>6</sub>的混合气为蚀刻气体蚀刻所述第二组绝缘层，所述第二比例为5:1～8:1；及以C<sub>4</sub>F<sub>6</sub>为蚀刻气体蚀刻所述第一组绝缘层。 | ||
| 地址 | 201500 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室 | ||