发明名称 | 一种用于单晶生长的石英坩埚及其制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种用于单晶生长的石英坩埚,包括内层和外层,其中,所述内层由0.5mm~2mm的二氧化硅颗粒和100nm以下的纳米二氧化硅制备而得;所述的外层由0.5mm~2mm的二氧化硅颗粒、100nm以下的纳米二氧化硅、稳定相物质和氮化硅按比例制备而成,所述的稳定性物质为氧化钛、氧化锆、氧化铝、氮化钛、氮化铝和氮化锆中的任意一种。本发明将石英坩埚分为内外两层生产,内层是采用合成石英,其中在石英的颗粒尺度上进行控制,包括大颗粒与小颗粒;外层通过加入增强相和稳定相控制石英强度,增强相加入的物质为天然硅砂二氧化硅。本发明的制造方法提供了石英坩埚强度高、耐久性好、外层粘度高等物理性质,因此可以防止高温加热导致的石英坩埚的开裂、漏硅。 | ||
申请公布号 | CN104389014B | 申请公布日期 | 2017.04.05 |
申请号 | CN201410720086.5 | 申请日期 | 2014.12.02 |
申请人 | 江苏科技大学 | 发明人 | 高延敏;李丽英;陆介平;韩莲;赵君 |
分类号 | C30B15/10(2006.01)I | 主分类号 | C30B15/10(2006.01)I |
代理机构 | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人 | 李晓静 |
主权项 | 一种用于单晶生长的石英坩埚,其特征在于,包括内层和外层,其中,所述内层由0.5mm~2mm的二氧化硅颗粒和100nm以下的纳米二氧化硅制备而得;所述的外层由0.5mm~2mm的二氧化硅颗粒、100nm以下的纳米二氧化硅、稳定相物质和氮化硅按比例制备而成,所述的稳定性物质为氧化钛、氧化锆、氧化铝、氮化钛、氮化铝和氮化锆中的任意一种。 | ||
地址 | 212003 江苏省镇江市梦溪路2号 |