| 发明名称 | 制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置。制造二氧化硅层的方法包含将包含碳化合物的预润湿液体物质涂布于衬底上、将用于形成二氧化硅层的组合物涂布于涂布有预润湿液体物质的衬底上以及使涂布有用于形成二氧化硅层的组合物的衬底固化。根据本发明的方法，可以使得用于形成二氧化硅层的组合物充分润湿衬底，并且可以有效涂布少量组合物，形成均匀的二氧化硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN106558483A | 申请公布日期 | 2017.04.05 |
| 申请号 | CN201610329591.6 | 申请日期 | 2016.05.18 |
| 申请人 | 三星SDI株式会社 | 发明人 | 李知虎;卢健培;尹熙灿;裵镇希;任浣熙 |
| 分类号 | H01L21/283(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L23/28(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/283(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 李艳;臧建明 |
| 主权项 | 一种制造二氧化硅层的方法，其特征在于，包括将包含碳化合物的预润湿液体物质涂布于衬底上，将用于形成二氧化硅层的组合物涂布于涂布有所述预润湿液体物质的所述衬底上，以及使涂布有所述用于形成二氧化硅层的组合物的所述衬底固化。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道龙仁市器兴区贡税路150-20号 | ||