Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtungsstruktur

摘要

Ein Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtungsstruktur wird bereitgestellt. Die Halbleitervorrichtungsstruktur umfasst das Bilden eines Films über einem Substrat. Die Halbleitervorrichtungsstruktur umfasst das Bilden einer ersten Maskenschicht über dem Film. Die Halbleitervorrichtungsstruktur umfasst das Bilden einer zweiten Maskenschicht über der ersten Maskenschicht. Die zweite Maskenschicht legt einen ersten Abschnitt der ersten Maskenschicht frei. Die Halbleitervorrichtungsstruktur umfasst das Ausführen eines Plasmaätz- und Abscheidungsprozesses, um den ersten Abschnitt der ersten Maskenschicht zu entfernen und eine Schutzschicht über einer ersten Seitenwand der zweiten Maskenschicht zu bilden. Die erste Maskenschicht legt einen zweiten Abschnitt des Films nach dem Plasmaätz- und Abscheidungsprozess frei. Die Halbleitervorrichtungsstruktur umfasst das Entfernen des zweiten Abschnitts unter Verwendung der ersten Maskenschicht und der zweiten Maskenschicht als eine Ätzmaske.