发明名称 非隔离双向高增益DC/DC变换器及变频控制方法
摘要 本发明公开的一种非隔离双向高增益DC/DC变换器及变频控制方法,属于电力电子领域的非隔离高频功率变换方向。本发明公开的一种非隔离双向高增益DC/DC变换器,包括主电路和控制电路。所述的主电路主要由低压端V<sub>L</sub>、高压端V<sub>H</sub>、两个电感(L<sub>1</sub>,L<sub>2</sub>),n+2个MOS管(S<sub>1</sub>,S<sub>2</sub>,Q<sub>1</sub>~Q<sub>n</sub>)和n个电容(C<sub>1</sub>~C<sub>n</sub>)组成。其中,n为级联数量。本发明还公开一种用于非隔离双向高增益DC/DC变换器的变频控制方法,利用上述的变频控制方法调节MOS管的开关频率,使得变换器主电路每个MOS管都在保证实现软开关的前提下,减小电流脉动和环流损耗。本发明可广泛用于蓄电池储能或新能源汽车电机驱动系统。
申请公布号 CN106549577A 申请公布日期 2017.03.29
申请号 CN201611121027.1 申请日期 2016.12.08
申请人 北京理工大学 发明人 沙德尚;陈建良;焉禹
分类号 H02M3/157(2006.01)I;H02M3/158(2006.01)I 主分类号 H02M3/157(2006.01)I
代理机构 北京理工正阳知识产权代理事务所(普通合伙) 11639 代理人 王民盛
主权项 一种非隔离双向高增益DC/DC变换器,其特征在于:包括主电路和控制电路;所述的主电路主要由低压端V<sub>L</sub>、高压端V<sub>H</sub>、两个电感(L<sub>1</sub>,L<sub>2</sub>),n+2个MOS管(S<sub>1</sub>,S<sub>2</sub>,Q<sub>1</sub>~Q<sub>n</sub>)和n个电容(C<sub>1</sub>~C<sub>n</sub>)组成;其中,n为级联数量;两个电感(L<sub>1</sub>,L<sub>2</sub>)和两个MOS管S<sub>1</sub>,S<sub>2</sub>构成交错并联结构;n个电容(C<sub>1</sub>~C<sub>n</sub>)和n个MOS管(Q<sub>1</sub>~Q<sub>n</sub>)组成开关电容倍压电路,用于进一步提高高压端电压V<sub>H</sub>;低压端的正极通过两个电感(L<sub>1</sub>,L<sub>2</sub>)分别在A点和B点与MOS管S<sub>1</sub>和S<sub>2</sub>的漏极相连,MOS管S<sub>1</sub>和S<sub>2</sub>的源极与低压端负极和高压端负极均连在一起;电容C<sub>n</sub>与高压端并联;除了电容C<sub>n</sub>以外,编号为奇数的电容(C<sub>1</sub>,C<sub>3</sub>,…,C<sub>2k‑1</sub>)(k=1,2,…)的负极均与A点相连,而编号为偶数的电容(C<sub>2</sub>,C<sub>4</sub>,…,C<sub>2k</sub>)的负极与B点相连;MOS管(Q<sub>1</sub>,Q<sub>2</sub>…Q<sub>n</sub>)依次串联,即MOS管Q<sub>1</sub>的漏极与MOS管Q<sub>2</sub>的源极相连,MOS管Q<sub>2</sub>的漏极与MOS管Q<sub>3</sub>的源极相连,以此类推;而MOS管Q<sub>1</sub>的源极与B点相连,MOS管Q<sub>n</sub>的漏极与高压端的正极相连;电容C<sub>1</sub>的正极与MOS管Q<sub>1</sub>的漏极相连,电容C<sub>2</sub>的正极与MOS管Q<sub>2</sub>的漏极相连,以此类推,电容C<sub>n</sub>的正极与MOS管Q<sub>n</sub>的漏极相连;所述的MOS管(S<sub>1</sub>,S<sub>2</sub>,Q<sub>n</sub>)的耐压应高于V<sub>H</sub>/n,MOS管(Q<sub>1</sub>,Q<sub>2</sub>…Q<sub>n‑1</sub>)耐压应高于2V<sub>H</sub>/n;电容(C<sub>1</sub>,C<sub>2</sub>…C<sub>n</sub>)稳态工作时的电压为V<sub>Ck</sub>=kV<sub>H</sub>/n;所述的两个电感(L<sub>1</sub>,L<sub>2</sub>)的电感值相同;所述的控制电路主要由控制器和驱动电路构成;控制器采用数字控制,通过传感器对高压端电压V<sub>L</sub>和低压端总电流I<sub>avg</sub>进行采样,并依据电压电流双闭环的方法调节调制波;将调制波与载波进行比较得到占空比信号D,范围需限制在0.5~0.8,并通过逻辑转换得到所有n+2个MOS管(S<sub>1</sub>,S<sub>2</sub>,Q<sub>1</sub>~Q<sub>n</sub>)的占空比信号,经过驱动电路放大,控制所有MOS管的开通和关断,进而调节主电路的高压端V<sub>H</sub>与低压端V<sub>L</sub>的比例。
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