发明名称 离子铣削装置
摘要 本发明提供一种可在同一真空腔内进行剖面加工与平面加工双方的离子铣削装置。为实现该目的,提出一种离子铣削装置,其具备:离子源,其安装在真空腔内,向试料照射离子束;以及倾斜工作台,其具有相对于该离子源放出的离子束的照射方向垂直的方向的倾斜轴,其特征在于,所述离子铣削装置具备:旋转体,其设置在所述试料工作台上,且具有与所述倾斜轴正交的旋转倾斜轴;以及加工观察用开口,其设置在所述真空腔的壁面上,且设置在与由所述倾斜轴和所述离子束的照射轨道所成的平面正交的方向上。
申请公布号 CN105047511B 申请公布日期 2017.03.29
申请号 CN201510292799.0 申请日期 2011.11.02
申请人 株式会社日立高新技术 发明人 岩谷彻;武藤宏史;高须久幸;上野敦史;金子朝子
分类号 H01J37/20(2006.01)I;H01J37/30(2006.01)I 主分类号 H01J37/20(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 洪秀川
主权项 一种离子铣削装置,其具备:离子源,其安装在真空腔内,向试料照射离子束;以及试料工作台,其具有相对于该离子源放出的离子束的照射方向垂直的方向的倾斜轴,其特征在于,所述离子铣削装置具备:旋转体,其设置在所述试料工作台上,且具有与所述倾斜轴正交的旋转倾斜轴;以及加工观察用开口,其设置在所述真空腔的壁面上,且设置在与由所述倾斜轴和所述离子束的照射轨道所成的平面正交的方向上。
地址 日本东京都