发明名称 用于高分辨率电子束成像的设备及方法
摘要 本发明涉及用于高分辨率电子束成像的设备及方法。一个实施例涉及一种用于高分辨率电子束成像的设备。所述设备包含经配置以限制入射电子束中的电子的能量扩散的能量过滤器。所述能量过滤器可使用消像散维恩(Wien)过滤器及过滤器孔口而形成。另一实施例涉及一种形成用于高分辨率电子束设备的入射电子束的方法。另一实施例涉及一种包含弯曲导电电极的消像散维恩过滤器。另一实施例涉及一种包含一对磁轭及多极偏转器的消像散维恩过滤器。本发明还揭示其它实施例、方面及特征。
申请公布号 CN106548913A 申请公布日期 2017.03.29
申请号 CN201710049531.3 申请日期 2013.04.02
申请人 科磊股份有限公司 发明人 姜辛容;韩立群
分类号 H01J37/05(2006.01)I;H01J37/153(2006.01)I;H01J37/28(2006.01)I 主分类号 H01J37/05(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 张世俊
主权项 一种用于高分辨率电子束成像的设备,所述设备包括:源,其经配置以发射电子;枪透镜,其经配置以沿所述设备的光学轴将来自所述源的所述电子聚焦到电子束中;限束孔口,其经配置以限制所述电子束中的电子的源发射角;能量过滤器,其经配置以限制所述电子束中的所述电子的能量扩散以形成具有经减少的能量扩散的能量经过滤的电子束,其中所述能量过滤器包含:维恩过滤器,其包含:第一对磁鞍轭和第二对磁鞍轭,其中所述第一对磁鞍轭和所述第二对磁鞍轭中的每一磁鞍轭横跨大于90度的角度以使得相邻磁鞍轭之间存在方位重叠,且多极静电偏转器,其位于所述维恩过滤器中的每一对磁鞍轭的第一磁鞍轭和第二磁鞍轭之间;以及过滤器孔口,其中能量在所述经减少的能量扩散外的所述电子被所述维恩过滤器偏转,以使得能量在所述经减少的能量扩散内的所述电子通过所述过滤器孔口,而能量在所述经减少的能量扩散外的所述电子被所述过滤器孔口阻挡;物镜,其经配置以将能量经过滤的电子束聚焦到目标衬底的表面上的斑点上;及检测器,其经配置以检测来自所述目标衬底的所述表面的散射电子。
地址 美国加利福尼亚州