一种甘草次酸晶型物质及其制备方法

摘要

本发明涉及一种甘草次酸晶型物质，采用挥发结晶(抗溶剂结晶)结合加热(真空干燥)脱溶剂法制备，先使用有机溶剂在0℃‑60℃温度下把甘草次酸全部溶解，并经过环境温度15℃‑60℃、相对湿度50％‑60％、常压或减压条件下去除有机溶剂后获得白色固体，再以升温速率1℃/min‑20℃/min将所得白色固体加热至60℃‑100℃，并且保持30min‑120min制备得到甘草次酸晶型。本发明公开的甘草次酸晶型物质与现有专利文献里的甘草次酸晶型的粉末X射线衍射、差示扫描图谱均不同，因此所述固体形态是一种完全不同于现有的甘草次酸的晶型形态。

主权项

一种甘草次酸晶型，其特征在于：使用Cu‑Kα辐射，以度2θ表示的X射线粉末衍射光谱在5.64°、5.89°、9.49°、11.01°、11.74°、12.43°、14.24°、16.57°、17.64°、20.08°、21.19°、22.16°、24.82°、26.21°、29.47°、36.1°和39.43°处有特征峰；使用差示扫描量热法分析时，在升温速率为5℃每分钟的DSC谱图中，在142℃±3℃有放热峰，在291℃±3℃有吸热峰。