一种n‑CdS_xSe_1‑x薄膜/石墨烯肖特基结太阳能电池

摘要

本发明公开了一种n‑CdS_xSe_1‑x薄膜/石墨烯肖特基结太阳能电池，包括依次叠置的衬底、背电极、半导体薄膜层、绝缘层、前电极和石墨烯层，所述绝缘层和前电极设有通孔，所述石墨烯层通过所述通孔与半导体薄膜层表面接触形成肖特基结，所述半导体薄膜层为n型CdS_xSe_1‑x半导体薄膜，其中0<x<1。该太阳能电池通过使用CdS_xSe_1‑x半导体薄膜与石墨烯形成肖特基结结构的太阳能电池器件，具有制备方法简单、成本低、对入射光吸收充分、发电效率高、电极不易导通的优点。

主权项

一种n‑CdS_xSe_1‑x薄膜/石墨烯肖特基结太阳能电池，包括依次叠置的衬底(1)、背电极(2)、半导体薄膜层(3)、绝缘层(4)、前电极(5)和石墨烯层(6)，所述绝缘层(4)和前电极(5)设有通孔(7)，所述石墨烯层(6)通过所述通孔(7)与半导体薄膜层(3)表面接触形成肖特基结，其特征在于：所述半导体薄膜层(3)为n型CdS_xSe_1‑x半导体薄膜，其中x＝0.2。