发明名称 |
各向异性磁阻结构磁场强度检测装置 |
摘要 |
本发明提供了一种各向异性磁阻结构磁场强度检测装置,其包括:矩形片电阻区域、第一连线、第二连线、第三连线、第四连线、第一测试探针接口、第二测试探针接口、第三测试探针接口、第四测试探针接口;第一测试探针接口通过第一连线连接至矩形片电阻区域;第二测试探针接口通过第二连线连接至矩形片电阻区域;第三测试探针接口通过第三连线连接至矩形片电阻区域;第四测试探针接口通过第四连线连接至矩形片电阻区域;第一测试探针接口位于矩形片电阻区域的一端,第四测试探针接口位于矩形片电阻区域的另一端,第二测试探针接口和第三测试探针接口位于同一侧;第二测试探针接口更靠近第一测试探针接口,第三测试探针接口更靠近第四测试探针接口。 |
申请公布号 |
CN103076578B |
申请公布日期 |
2017.03.29 |
申请号 |
CN201310041892.5 |
申请日期 |
2013.02.01 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
时廷 |
分类号 |
G01R33/09(2006.01)I |
主分类号 |
G01R33/09(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种各向异性磁阻结构磁场强度检测装置,其特征在于包括:矩形片电阻区域、第一连线、第二连线、第三连线、第四连线、第一测试探针接口、第二测试探针接口、第三测试探针接口、以及第四测试探针接口;其中,第一测试探针接口通过第一连线连接至矩形片电阻区域;第二测试探针接口通过第二连线连接至矩形片电阻区域;第三测试探针接口通过第三连线连接至矩形片电阻区域;第四测试探针接口通过第四连线连接至矩形片电阻区域;其中,第一测试探针接口位于矩形片电阻区域的一端,第四测试探针接口位于矩形片电阻区域的另一端,第二测试探针接口和第三测试探针接口位于矩形片电阻区域的同一侧;并且,针对第二测试探针接口和第三测试探针接口两者而言,第二测试探针接口更靠近第一测试探针接口,第三测试探针接口更靠近第四测试探针接口。 |
地址 |
201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 |