发明名称 一种基于SnO<sub>2</sub>的钙钛矿薄膜光伏电池及其制备方法
摘要 本发明涉及一种钙钛矿薄膜光伏电池及其制备方法。所述的钙钛矿薄膜光伏电池采用可低温制备的SnO<sub>2</sub>作为电子传输层,用以取代传统的需要高温烧结的TiO<sub>2</sub>电子传输层。这种基于低温制备的SnO<sub>2</sub>电子传输层的钙钛矿薄膜光伏电池取得了14.60%的高光电转化效率,大大优于基于传统高温烧结的TiO<sub>2</sub>电子传输层的钙钛矿太阳电池。SnO<sub>2</sub>薄膜的化学性质稳定而且制备过程简单,极大地简化钙钛矿电池的制备流程,有效地降低电池的制作成本,也能很好的改善钙钛矿薄膜光伏性能的稳定性。
申请公布号 CN104157788B 申请公布日期 2017.03.29
申请号 CN201410407708.9 申请日期 2014.08.19
申请人 武汉大学 发明人 方国家;柯维俊;刘琴;陶洪;雷红伟;王静
分类号 H01L51/42(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I 主分类号 H01L51/42(2006.01)I
代理机构 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人 汪俊锋
主权项 一种钙钛矿薄膜光伏电池, 由透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和金属电极组成,所述的电子传输层为二氧化锡薄膜;其特征在于, SnO<sub>2</sub>电子传输层的制备方法包括如下步骤:(1)将0.025 mol/L至0.2 mol/L的SnCl<sub>2</sub>•2H<sub>2</sub>O乙醇溶液搅拌三十分钟;(2)将配好的SnCl<sub>2</sub>•2H<sub>2</sub>O乙醇溶液用甩胶机均匀地旋涂在透明导电衬底上;(3)将甩好的电子传输层180‑400摄氏度条件下退火三十分钟。
地址 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学