| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本公开提供一种半导体装置的制造方法实施例，其包括形成一外延部于一基底上方，外延部包括III-V族材料。一受损材料层位于外延部的至少一表面上。此方法还包括至少氧化受损材料层的外表面，以形成一氧化层、选择性去除氧化层以及当至少一部份的受损层余留于外延部上时，重复氧化及选择性去除步骤。本发明的半导体装置的制造方法，通过一工艺自外延鳍部的外表面、源极/汲级以及纳米接线去除受损材料层，可改善装置的效能。 | ||
| 申请公布号 | CN106548944A | 申请公布日期 | 2017.03.29 |
| 申请号 | CN201510860138.3 | 申请日期 | 2015.11.30 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 范纯祥;林群雄;黄懋霖;李泳达 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 王芝艳;冯志云 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，包括︰形成一外延部于一基底上方，该外延部包括一III‑V族材料，且一受损材料层位于该外延部的至少一表面上；至少氧化该受损材料层的外表面，以形成一氧化层；选择性去除该氧化层；以及当至少一部份的该受损层余留于该外延部上时，重复该氧化步骤及该选择性去除步骤。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||