工艺腔室、半导体加工设备及去气和预清洗的方法

摘要

本发明提供的工艺腔室及半导体加工设备，其包括：加工子腔，其内设置有基座；存放子腔设置在加工子腔的一侧，具有与加工子腔相连通的通道；加热灯组件用于采用热辐射的方式加热晶片；顶针升降机构包括至少三个顶针和顶针升降装置；预清洗装置包括下电极板、上电极板、进气机构和射频电源，下电极板设置在基座上，其上表面用于承载晶片；下电极板与基座电绝缘，且与射频电源电连接；进气机构用于向加工子腔内通入工艺气体；上电极板接地，通过驱动上电极板运动，而使其位于加工子腔内与下电极板相对的第一位置处，或者位于存放子腔内的第二位置处。本发明提供的工艺腔室，其不仅可以提高简化传输过程、提高传输效率，而且有助于提高设备的产能。

主权项

一种工艺腔室，其特征在于，包括：加工子腔，在所述加工子腔内设置有基座；存放子腔，设置在所述加工子腔的一侧，且具有与所述加工子腔相连通的通道；加热灯组件，设置在所述加工子腔内，且位于所述基座上方，用于采用热辐射的方式加热晶片；预清洗装置，包括下电极板、上电极板、进气机构和射频电源，其中，所述下电极板设置在所述基座上，所述下电极板的上表面用于承载晶片；所述下电极板与所述基座电绝缘，并且与所述射频电源电连接；所述进气机构用于向所述加工子腔内通入工艺气体；所述上电极板接地，并且通过驱动所述上电极板运动，而使其位于所述加工子腔内与所述下电极板相对的第一位置处，或者位于所述存放子腔内的第二位置处；顶针升降机构，包括至少三个顶针和顶针升降装置，其中，所述至少三个顶针设置在所述基座下方，且沿所述基座的周向间隔分布；所述顶针升降装置用于驱动所述至少三个顶针贯穿所述基座和所述下电极板上升或下降，以使其顶端高于或低于所述下电极板的上表面。