半导体装置

摘要

一种半导体装置。其为了解决如下问题：容性FP的电位分割效果较强，耗尽层容易到达n-区域的端。特征在于，边缘区具有：半导体基体；作为与第1导电型相反的导电型的第2导电型的半导体区域，其以pn结合的方式配置在半导体基体内；以及导体层，在半导体区域上方和半导体区域外侧的区域上方并列配置有多个所述导体层，所述导体层与半导体区域以及半导体区域外侧的区域绝缘，半导体区域外侧的区域上方的所述导体层与半导体区域外侧的区域上表面之间的距离大于半导体区域上方的所述导体层与导体区域上表面之间的距离。半导体基体上方的导体层与半导体基体上表面之间的距离大于半导体区域上方的导体层与半导体区域上表面之间的距离。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有：有源区；以及所述有源区的外侧的边缘区，所述边缘区具有：第1导电型的半导体基体；作为与第1导电型相反的导电型的第2导电型的半导体区域，其以pn结合的方式配置在所述半导体基体内；以及导体层，在所述半导体区域上方和所述半导体区域的外侧区域上方并列配置有多个所述导体层，所述导体层与所述半导体区域以及所述半导体区域的外侧区域绝缘，所述半导体区域的外侧区域上方的所述导体层与所述半导体区域的外侧区域的上表面之间的距离大于所述半导体区域上方的所述导体层与所述半导体区域的上表面之间的距离。