磁気抵抗効果素子の制御方法および磁気抵抗効果素子の制御装置

摘要

【課題】スピン注入磁化反転方式よりも書き込み速度が速く低消費電力であると同時に、制御性が高く安定した磁化反転操作を行うことができる磁気抵抗効果素子の制御方法および磁気抵抗効果素子の制御装置を提供する。【解決手段】第２の磁性層１２の磁化方向が第１の磁性層１１の磁化方向に対して平行に近い配置であるとき、第２の磁性層１２の磁化容易軸の方向を変化させることにより磁化方向を反転させるよう、第１の磁性層１１と第２の磁性層１２との間に第１の電圧を印加した後、第１の磁性層１１から第２の磁性層１２に向かって電流が流れるよう、第２の電圧を印加する。同様に、第２の磁性層１２の磁化方向が第１の磁性層１１の磁化方向に対して反平行に近い配置であるとき、第１の磁性層１１と第２の磁性層１２との間に第３の電圧を印加した後、第２の磁性層１２から第１の磁性層１１に向かって電流が流れるよう、第４の電圧を印加する。【選択図】図５