| 摘要 |
本発明は、小面積、高耐圧性及び高信頼性を鼎立した半導体装置である。本発明は、半導体基板（１１）表面で活性領域を囲む電界緩和層（１３）と、電界緩和層を覆う絶縁膜（１９）と、活性領域上の第１電極（１５）と、電界緩和層形成位置の絶縁膜上に形成された複数の金属層（３１〜３５）と、複数の金属層を囲む第２電極（１６）と、第１電極から第２電極に亘る絶縁膜上の半絶縁膜（２３）とを備え、電界緩和層の不純物の空間電荷量が活性領域から離れるにつれて減少し、各金属層の幅Ｗ／各金属層間の外縁端間距離Ｄが第１電極から離れるにつれて小さくなる。 |
