| 摘要 |
【課題】多層半導体の欠陥検出装置および欠陥検出方法を提供する。【解決手段】レーザビームを出力するレーザ源４０と、レーザビームを多層半導体２０の標的領域に照射して多層半導体２０に照射ゾーンを生成する光学システム１００と、照射ゾーンと多層半導体２０との相対位置を制御するステージ５０およびスキャナ６０と、多層半導体２０における熱により誘起された電気信号または電気信号変化を測定し、測定された電気信号または測定された電気信号変化に基づいて多層半導体２０における欠陥の位置を検出するコントローラシステム１０１とを備える。標的領域は標的領域の周りの材料の熱伝導率よりも高い熱伝導率の材料から作製され、多層半導体２０の浅い層から深層までを貫く構造を有する。【選択図】図１ |
