| 摘要 |
【課題】容易な方法で基板の金属不純物等を除去し半導体装置の持つ本来の性能を示しながら電気的特性を安定化させることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ドリフト層を有する基板の上面側に第１拡散層を形成し成膜しエッチング処理を施す製造工程と、該ドリフト層の下面側にゲッタリング層を形成するゲッタリング層形成工程と、該基板を加熱し金属不純物、汚染原子及びダメージを該ゲッタリング層で捕獲するアニール工程と、該アニール工程の後に該ゲッタリング層を除去する除去工程と、該除去工程の後に該ドリフト層の下面側に第２拡散層を形成する工程と、該第２拡散層と接するように電極を形成する工程とを備え、該ゲッタリング層形成工程では該基板の下面に露出した該ドリフト層を加熱して該ドリフト層の下面側に結晶欠陥を有するゲッタリング層を形成する。【選択図】図４１ |
