| 摘要 |
【課題】接触抵抗の低い電極を有する半導体装置を提供する。【解決手段】第１の面１０ａ１と、第１の面１０ａ１の反対側に設けられた第２の面１０ａ２と、を有する炭化珪素層１０と、第１の面１０ａ１上に設けられた第１の絶縁膜５２と、第１の絶縁膜５２上に設けられた第１の電極３４と、第２の面１０ａ２に接して設けられた第２の電極３２と、炭化珪素層１０内に設けられ、一部は第１の面に設けられた第１導電型の第１の炭化珪素領域１０ｂと、第１の炭化珪素領域１０ｂ内に設けられ、一部は第１の面１０ａ１に設けられた第２導電型の第２の炭化珪素領域１２と、第２の炭化珪素領域１２内に設けられ、一部は第１の面１０ａ１に設けられた第１導電型の第３の炭化珪素領域２２と、第２の炭化珪素領域１２内の、第３の炭化珪素領域２２の下方に、第３の面２２ａを介して設けられた第２導電型の第４の炭化珪素領域２０と、第３の電極３０と、を備える。【選択図】図１ |
