发明名称 |
一种低成本大功率半导体基横模激光器芯片结构 |
摘要 |
本发明提供一种低成本大功率半导体基横模激光器芯片结构,包括振荡部分、过渡部分、放大部分和底面沟槽,所述过渡部分将所述振荡部分和放大部分连接并融合在一起,所述底面沟槽分别位于所述振荡部分、过渡部分和放大部分的两侧,且所述振荡部分、过渡部分和放大部分两侧的底面沟槽深度不同。本发明巧妙地通过过渡部分将所述振荡部分和放大部分连接并融合在一起,依靠所述振荡部分、过渡部分和放大部分两侧深度不同的底面沟槽防止形成非预期的反射破坏基横模输出,为一种基于常规脊波导的芯片结构,因而只需采用普通的脊波导工艺就能实现大功率半导体基横模激光输出芯片的制作,产品制作工艺简单成熟,成品率高,成本低,适用于批量生产制作。 |
申请公布号 |
CN104269739B |
申请公布日期 |
2017.03.22 |
申请号 |
CN201410555782.5 |
申请日期 |
2014.10.20 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
发明人 |
刘刚明;张靖;邓光华;段利华;周勇 |
分类号 |
H01S5/24(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/24(2006.01)I |
代理机构 |
北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 |
代理人 |
刘佳 |
主权项 |
一种低成本大功率半导体基横模激光器芯片结构,其特征在于,包括振荡部分、过渡部分、放大部分和底面沟槽,所述过渡部分将所述振荡部分和放大部分连接并融合在一起,所述底面沟槽分别位于所述振荡部分、过渡部分和放大部分的两侧,且所述振荡部分、过渡部分和放大部分两侧的底面沟槽深度不同;所述过渡部分两侧的底面沟槽为在水平和垂直方向均具有倾斜角度的倾斜沟槽。 |
地址 |
400060 重庆市南岸区南坪花园路14号 |