| 发明名称 | 一种背结背接触太阳能电池 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种背结背接触太阳能电池，包括，基片；复合在所述基片前表面的受光复合层；复合在所述基片背表面的第二钝化层和第一电极复合层；所述第二钝化层和所述第一电极复合层交替设置；复合在所述第二钝化层表面的第二型掺杂半导体层；设置在所述第二型掺杂半导体层上的第二电极。本发明提出的载流子选择的背结背接触太阳能电池，利用第二型掺杂半导体层载流子选择性的特性，将第二型掺杂半导体层设置于钝化层上作为电池背光面的发射极，而金属直接与发射极电接触。由于发射极具有优异表面钝化、只允许多数载流子纵向输运的载流子选择特性，且具有电池制备工艺简单、成本低的特点。 | ||
| 申请公布号 | CN106531816A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201611255784.8 | 申请日期 | 2016.12.30 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 孙昀;贾锐;姜帅;陶科;孙恒超;戴小宛;金智;刘新宇 |
| 分类号 | H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/048(2014.01)I | 主分类号 | H01L31/0216(2014.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 赵青朵 |
| 主权项 | 一种背结背接触太阳能电池，其特征在于，包括：基片；复合在所述基片前表面的受光复合层；复合在所述基片背表面的第二钝化层和第一电极复合层；所述第二钝化层和所述第一电极复合层交替设置；复合在所述第二钝化层表面的第二型掺杂半导体层；设置在所述第二型掺杂半导体层上的第二电极。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||