| 发明名称 | AlGaN/GaN HEMT小信号模型及其参数的提取方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种AlGaN/GaN HEMT小信号模型及其参数的提取方法。本发明的AlGaN/GaN HEMT小信号模型在传统的AlGaN/GaN HEMT小信号模型的基础上，在寄生单元中增设了栅源之间的第一共面波导电容<img file="DDA0001194165840000011.GIF" wi="121" he="87" />和栅漏之间的第二共面波导电容<img file="DDA0001194165840000012.GIF" wi="139" he="92" />由于AlGaN/GaN HEMT器件与共面波导器件的结构有着相似之处，在高频条件下，引入第一共面波导电容<img file="DDA0001194165840000013.GIF" wi="117" he="87" />和第二共面波导电容<img file="DDA0001194165840000014.GIF" wi="139" he="94" />也即，考虑了AlGaN/GaN HEMT器件的共面波导效应会引入额外寄生电容，可以更精准的反映AlGaN/GaN HEMT器件的工作状态和器件特性，提高了器件模型准确率。 | ||
| 申请公布号 | CN106529102A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201611228985.9 | 申请日期 | 2016.12.27 |
| 申请人 | 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 | 发明人 | 王佳佳;周海峰;丁庆 |
| 分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 吴平 |
| 主权项 | 一种AlGaN/GaN HEMT小信号模型，其特征在于，包括本征单元和寄生单元，其中，所述寄生单元包括栅源之间的第一共面波导电容<img file="FDA0001194165810000011.GIF" wi="127" he="72" />栅漏之间的第二共面波导电容<img file="FDA0001194165810000012.GIF" wi="123" he="74" />所述本征单元的第一端与栅极端连接，所述本征单元的第二端与所述漏极端连，所述本征单元的第三端与源极端连接；所述第一共面波导电容<img file="FDA0001194165810000013.GIF" wi="107" he="72" />串接在所述本征单元的第一端与第三端之间，所述第二共面波导电容<img file="FDA0001194165810000014.GIF" wi="106" he="74" />串接在所述本征单元的第一端与第二端之间。 | ||
| 地址 | 518102 广东省深圳市宝安区西乡街道宝田一路臣田工业区37栋2楼东 | ||