发明名称 | 一种采用CMOS工艺实现的太赫兹频率合成器 | ||
摘要 | 一种采用CMOS工艺实现的太赫兹频率合成器,包括有依次串联连接的:产生太赫兹LO信号的压控振荡器,用于进行分频的第一级注入锁定分频器和第二级注入锁定分频器,以及用于对达到设定的频率进行锁定的锁相环,所述锁相环的反馈输出端连接所述压控振荡器的反馈输入端。本发明的一种采用CMOS工艺实现的太赫兹频率合成器,采用标准的CMOS工艺实现,有集成度高、成本低、易于大规模生产等优点。同时还克服了CMOS工艺截止频率附近工作性能差的限制,实现了太赫兹频率合成器的设计。 | ||
申请公布号 | CN106533438A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
申请号 | CN201610919314.0 | 申请日期 | 2016.10.21 |
申请人 | 天津大学 | 发明人 | 毛陆虹;王阳;谢生;肖谧 |
分类号 | H03L7/18(2006.01)I | 主分类号 | H03L7/18(2006.01)I |
代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人 | 杜文茹 |
主权项 | 一种采用CMOS工艺实现的太赫兹频率合成器,其特征在于,包括有依次串联连接的:产生太赫兹LO信号的压控振荡器(1),用于进行分频的第一级注入锁定分频器(2)和第二级注入锁定分频器(3),以及用于对达到设定的频率进行锁定的锁相环(4),所述锁相环(4)的反馈输出端连接所述压控振荡器(1)的反馈输入端。 | ||
地址 | 300072 天津市南开区卫津路92号 |