发明名称 |
一种基于FPGA的低功耗SRAM字线电压实现电路及方法 |
摘要 |
本发明公开了一种基于FPGA的低功耗SRAM 字线电压实现电路及方法,系统包括:带隙基准电路,用于提供基准电压;控制电路,用于生成控制信号及复位信号;读/写译码电路,用于根据控制选择获得电路所处状态,并生成分压选择信号;字线电压产生电路,用于分别为电路清零状态、写状态和读状态设定字线电压,及将所述基准电压作为参考电压,根据接收的分压选择信号选择得到电路所处状态下的字线电压值;地址译码电路,用于对待配置SRAM地址译码,获得译码输出信号;地址输出电路,用于在译码输出信号有效时,将译码输出信号转换为对应电路所处状态下的字线电压值输出至对应待配置SRAM。本发明采用不同的字线电压,既能保证读取正确性,又降低整体芯片的功耗。 |
申请公布号 |
CN106527562A |
申请公布日期 |
2017.03.22 |
申请号 |
CN201611149766.1 |
申请日期 |
2016.12.14 |
申请人 |
无锡中微亿芯有限公司;中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
发明人 |
胡凯;徐玉婷;耿杨;闫华 |
分类号 |
G05F1/565(2006.01)I |
主分类号 |
G05F1/565(2006.01)I |
代理机构 |
南京经纬专利商标代理有限公司 32200 |
代理人 |
朱小兵 |
主权项 |
一种基于FPGA的低功耗SRAM字线电压实现电路,其特征在于,包括:带隙基准电路,用于提供基准电压;控制电路,用于生成控制信号及复位信号;读/写译码电路,用于根据控制电路的控制信号选择获得电路所处状态,所述电路所处状态包括清零状态、写状态和读状态;并根据选择的电路所处状态生成分压选择信号;字线电压产生电路,用于根据接收的分压选择信号,将所述基准电压作为参考电压进行分压,得到电路所处状态下的字线电压值;地址译码电路,用于根据控制电路的控制信号对待配置SRAM的地址进行译码,获得译码输出信号;地址输出电路,用于接收控制电路的复位信号,及在接收的地址译码电路的译码输出信号有效时,将译码输出信号转换为对应电路所处状态下的字线电压值,及将该字线电压值输出至地址译码电路译码所对应待配置SRAM的门管控制端。 |
地址 |
214000 江苏省无锡市建筑路777号B1楼15层 |