CMOS工艺中单粒子效应调制下阱电势测量电路

摘要

本发明公开了CMOS工艺中单粒子效应调制下阱电势测量电路，包括采集M个阱接触电势值的采集模块、对应N个不同时钟信号CLK的D触发器模块和PISO输出模块；通过采集不同位置的阱电势值控制空间位置精度，通过采集模块中NAND门的翻转阈值的不同来控制测量阱电势的数值精度，在多个由不同时钟信号控制的一级时控D触发器子模块的基础上，通过控制各子模块的时钟信号来设置测量阱电势的时间精度，由此实现单粒子效应调制的阱电势在时空上的数值分布测量。本发明适用于P型衬底中的N阱在单粒子效应调制下电势的测量以及N型衬底中P阱在单粒子效应调制下电势的测量。

主权项

CMOS工艺中单粒子效应调制下阱电势测量电路，其特征是，包括采集M个阱接触电势值的采集模块、对应N个不同时钟信号CLK的D触发器模块和PISO输出模块；采集模块包括N个一级时间精度采集子模块，每个一级时间采集子模块包括对应各阱接触的M个二级位置精度采集子模块，每个二级位置精度采集子模块包括S个三级数值精度采集子模块，每个三级数值精度采集子模块包括NAND门和非门，NAND门的一个输入端连接SET信号，另一个输入端连接与NAND门所属二级位置精度采集子模块相对应的阱接触的电势值，NAND门的输出端连接非门的输入端；D触发器模块包括对应各时钟信号的N个一级时控D触发器子模块，每个一级时控D触发器子模块包括对应各二级位置精度采集子模块的M个二级D触发器子模块，每个二级D触发器子模块包括对应各三级数值精度采集子模块的S个D触发器，每个一级时控D触发器子模块中所有D触发器的触发信号为相应的时钟信号CLK，D触发器的输入端连接相应三级数值精度采集子模块中非门的输出端；PISO输出模块包括与N个一级时控D触发器子模块相对应的N个PISO输出子模块，每个PISO输出子模块包括移位寄存器，移位寄存器的输入端连接相应的一级时控D触发器子模块中所有D触发器的输出端。