闪存存储器的制备方法

摘要

本发明提供一种闪存存储器的制备方法，本发明采用两次湿法刻蚀中间结合干法刻蚀的方法形成位于浮栅间隔离结构处的沟槽。与现有技术采用纯湿法刻蚀相比较，本发明在增加的干法刻蚀之前形成保护浮栅的氧化硅阻挡层，因此，进行该各向异性刻蚀的干法刻蚀时，在保证浮栅宽度不受损伤的情况下，以形成横截面为倒梯形的沟槽，在增加有源区与控制栅的最短距离的同时保证该距离的一致性，有利于增加闪存存储器的控制栅与浮栅之间的电容面积，提高栅耦合系数，从而提升存储器的额定漏电流，进而提高闪存存储器的擦除速度和循环操作时器件的可靠性；在隔离结构与氧化硅阻挡层均为氧化硅时，在干法刻蚀后只需采用同一溶液进行刻蚀，节省工艺步骤，降低成本。

主权项

一种闪存存储器的制备方法，其特征在于，所述制备方法在依次形成位于浮栅上的介质层和控制栅之前至少包括：1)提供一半导体衬底，在所述半导体衬底中通过制备隔离结构以隔离出有源区，并在所述有源区上依次形成隧穿氧化层及浮栅，而后进行平坦化处理；2)对所述隔离结构进行湿法刻蚀，直至距所述浮栅表面第一深度处，在浮栅间形成沟槽以暴露出部分浮栅；3)在步骤2)形成的结构表面形成氧化硅阻挡层；4)对步骤3)形成的结构进行干法刻蚀，直至暴露出浮栅表面，并在所述浮栅之间的隔离结构中形成距浮栅表面第二深度且横截面为倒梯形的沟槽，此时，浮栅侧壁上仍保留有部分氧化硅阻挡层，其中，所述第二深度大于第一深度；所述干法刻蚀分两个阶段，第一阶段的干法刻蚀中当暴露出浮栅表面，浮栅的侧壁上仍保留部分氧化硅阻挡层，在第二阶段干法刻蚀中，该被保留部分氧化硅阻挡层在保证浮栅宽度不受损伤的情况下，以形成横截面为倒梯形的沟槽，从而在增加有源区与控制栅的最短距离的同时保证该距离的一致性；5)对所述步骤4)形成的结构继续进行湿法刻蚀，去除剩余的所述氧化硅阻挡层及部分隔离结构，直至该隔离结构的表面与有源区顶部的沟道拐角之间的最短距离为第一距离截止，以在所述浮栅之间的隔离结构中形成距浮栅表面第三深度的沟槽。