| 发明名称 | 一种石墨烯表面选区改性加工方法及装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种石墨烯表面选区改性加工方法及装置，所述方法包括：用激光扫描衬底样片表面的预设区域，以提高所述预设区域覆盖的石墨烯薄膜材料表面的悬挂键数量；采用原子层沉积方法，在所述衬底样片表面进行薄膜沉积，以在所述预设区域生长目标薄膜。本发明提供的方法及装置，用以解决现有技术中石墨烯薄膜材料表面通常不具有悬挂键等ALD成膜必备条件，存在的难以采用ALD逐原子层沉积生长薄膜的技术问题。实现了增加石墨烯薄膜材料表面对原子层的附着力，从而有利于采用原子层沉积方法进行选区薄膜制备的技术效果。 | ||
| 申请公布号 | CN106531613A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201610258555.5 | 申请日期 | 2016.04.22 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 解婧;屈芙蓉;卢维尔;李楠;张庆钊;夏洋 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人 | 房德权 |
| 主权项 | 一种石墨烯表面选区改性加工方法，其特征在于，所述方法包括：用激光扫描衬底样片表面的预设区域，以提高所述预设区域覆盖的石墨烯薄膜材料表面的悬挂键数量；采用原子层沉积方法，在所述衬底样片表面进行薄膜沉积，以在所述预设区域生长目标薄膜。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||