| 发明名称 | 掺四价铬氧化镓晶体及制备方法与应用 | ||
| 摘要 | 本发明涉及掺四价铬氧化镓晶体及制备方法与应用，该晶体分子式为β‑(Ga<sub>1‑x‑y</sub>Cr<sub>x</sub>A<sub>y</sub>)<sub>2</sub>O<sub>3</sub>，0.001<x<0.3，0<y<0.3，A为正二价金属元素。本发明通过在β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>晶体中掺入Cr或者Cr与二价金属阳离子双掺，获得四价Cr掺杂的β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>晶体，该晶体是一种性能优良的可饱和吸收材料。该晶体物理化学性质稳定，热导率高，也可以作为激光晶体使用。 | ||
| 申请公布号 | CN106521625A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201611153445.9 | 申请日期 | 2016.12.14 |
| 申请人 | 山东大学 | 发明人 | 贾志泰;穆文祥;陶绪堂;尹延如;胡强强 |
| 分类号 | C30B29/16(2006.01)I;C30B15/34(2006.01)I;C30B28/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人 | 杨磊 |
| 主权项 | 一种掺四价铬氧化镓晶体，其特征在于，该晶体分子式为β‑(Ga<sub>1‑x‑y</sub>Cr<sub>x</sub>A<sub>y</sub>)<sub>2</sub>O<sub>3</sub>，0.001<x<0.3，0<y<0.3，A为正二价金属元素。 | ||
| 地址 | 250199 山东省济南市历城区山大南路27号 | ||