GaN基器件肖特基接触可靠性的评价方法

摘要

本发明公开了一种GaN基器件肖特基接触可靠性的评价方法，包括：采集待测GaN基器件在不同温度下的电流‑电压特性曲线；根据待测GaN基器件在不同温度下的电流‑电压特性曲线，获得待测GaN基器件的串联电阻随温度的变化曲线及其肖特基势垒高度与理想因子之间的关系曲线；采集待测GaN基器件在不同频率下的电容‑电压特性曲线；根据待测GaN基器件在不同频率下的电容‑电压曲线，获得待测GaN基器件的频散关系；根据待测GaN基器件的串联电阻随温度的变化曲线、肖特基势垒高度与理想因子之间的关系曲线以及待测GaN基器件的频散关系，对待测GaN基器件肖特基接触的可靠性进行评价。该评价方法可以对GaN基器件中肖特基的可靠性进行评价。

主权项

一种GaN基器件肖特基接触可靠性的评价方法，所述GaN基器件包括GaN基半导体结构和位于所述GaN基半导体结构表面的金属结构，其特征在于，该方法包括：采集待测GaN基器件在不同温度下的电流‑电压特性曲线；根据所述待测GaN基器件在不同温度下的电流‑电压特性曲线，获得所述待测GaN基器件的串联电阻随温度的变化曲线及其肖特基势垒高度与理想因子之间的关系曲线；采集所述待测GaN基器件在不同频率下的电容‑电压特性曲线；根据所述待测GaN基器件在不同频率下的电容‑电压曲线，获得所述待测GaN基器件的频散关系；根据所述待测GaN基器件的串联电阻随温度的变化曲线、肖特基势垒高度与理想因子之间的关系曲线以及所述待测GaN基器件的频散关系，对所述待测GaN基器件肖特基接触的可靠性进行评价。