发明名称 |
甲砜霉素分子印迹电化学传感器及其制备方法与应用 |
摘要 |
本发明公开了一种甲砜霉素分子印迹电化学传感器及其制备方法与应用,采用水热一步法制备多孔石墨烯‑二硫化钼纳米花状复合物,并将其滴涂到L型玻碳电极表面。利用氨基化多壁碳纳米管及多孔Pt‑Pd纳米颗粒分散进一步提高电极的印迹表面积及加强修饰界面的稳定性,从而获得三维多孔的印迹基底。以甲砜霉素为模板分子,邻二苯胺为功能单体,循环伏安法制备印迹膜;以抗坏血酸为光电化学探针,构建检测甲砜霉素的电化学传感器。该传感器对甲砜霉素具有良好的响应,其线性范围为1.0×10<sup>‑9</sup>‑3.5×10<sup>‑6</sup>mol L<sup>‑1</sup>,检测下限为5.0×10<sup>‑9</sup>mol L<sup>‑1</sup>。传感器可用于肉类样品及饲料样品甲砜霉素检测。 |
申请公布号 |
CN106525932A |
申请公布日期 |
2017.03.22 |
申请号 |
CN201610944433.1 |
申请日期 |
2016.11.02 |
申请人 |
红河学院 |
发明人 |
杨光明;刘卫;徐世娟;陈显兰;石玲 |
分类号 |
G01N27/30(2006.01)I |
主分类号 |
G01N27/30(2006.01)I |
代理机构 |
北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙) 11531 |
代理人 |
李宏伟 |
主权项 |
一种甲砜霉素分子印迹电化学传感器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、制备多孔Pt‑Pd纳米颗粒;步骤2、制备多孔石墨烯‑二硫化钼纳米花状复合物;步骤3、用多孔石墨烯‑二硫化钼纳米花状复合物、氨基化多壁碳纳米管及多孔Pt‑Pd纳米颗粒修饰L型玻碳电极;步骤4、将修饰后的L型玻碳电极以邻苯二胺为功能单体和甲砜霉素为模板分子,循环伏安制备分子印迹修饰电极;再洗脱除去聚合膜中的模板分子,得到甲砜霉素分子印迹膜修饰电极。 |
地址 |
661100 云南省红河哈尼族彝族自治州蒙自市东郊红河学院理学院化学系 |