| 发明名称 | FINFET器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包括半导体衬底、多个半导体鳍和源极/漏极结构。半导体鳍和源极/漏极结构位于半导体衬底上，并且源极/漏极结构与半导体鳍连接。源极/漏极结构包括具有W‑形横截面的顶部用于形成接触接合区。半导体器件还可包括位于顶部的多个凹进的部分上的多个覆盖层。本发明实施例涉及FINFET器件及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN106531804A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201610669330.9 | 申请日期 | 2016.08.15 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 李彥儒;李启弘;郭建亿;丁姮彣;戴荣吉;舒丽丽;萧扬泰 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体衬底；源极结构，位于所述半导体衬底上；漏极结构，位于所述半导体衬底上；以及多个半导体鳍，从所述半导体衬底突出，其中，所述半导体鳍彼此间隔开并且连接所述源极结构和所述漏极结构；其中，所述源极结构和所述漏极结构的每个均包括具有W‑形横截面的顶部以用于形成接触接合区。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||