| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：交替并重复地堆叠在衬底上的多个绝缘图案和多个栅极；在基本垂直于衬底上表面的第一方向上延伸穿过栅极的沟道图案；在沟道图案和衬底之间的半导体图案；以及在沟道图案和半导体图案之间的导电图案。导电图案将沟道图案电连接到半导体图案。导电图案接触沟道图案的底部边缘和半导体图案的上表面。 | ||
| 申请公布号 | CN106531744A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201610809546.0 | 申请日期 | 2016.09.08 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴世准;尹壮根;黄盛珉;文安植;夏志良 |
| 分类号 | H01L27/11582(2017.01)I | 主分类号 | H01L27/11582(2017.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 翟然 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底；在所述衬底上交替并重复堆叠的多个绝缘图案和多个栅极；在垂直于所述衬底的上表面的第一方向上延伸穿过所述栅极的沟道图案；在所述沟道图案和所述衬底之间的半导体图案；以及在所述沟道图案和所述半导体图案之间的导电图案，所述导电图案将所述沟道图案电连接到所述半导体图案，所述导电图案接触所述沟道图案的底部边缘和所述半导体图案的上表面。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||