3D双栅极GOI测试结构

摘要

本实用新型提供一种3D双栅极GOI测试结构，包括多个阵列分布的且相互电连接的GOI测试单元，每个GOI测试单元包括：衬底；第一有源区；浅沟槽隔离区，位于衬底内且位于第一有源区外围；第二有源区，位于浅沟槽隔离区外围；条状栅极结构，两端延伸至浅沟槽隔离区；分别位于条状栅极结构两侧的有源区内的源极区和漏极区；以及分别连接第二有源区、条状栅极结构两端和源极区漏极区的第一金属层、第二金属层和第三金属层。本实用新型采用双栅极结构，每个GOI测试单元相当于传统的两个GOI测试单元，检测产品缺陷的敏感度更高，采用矩阵结构，金属层不占用多余的空间，减少GOI测试结构的总面积，提高有效的测试结构面积。

主权项

一种3D双栅极GOI测试结构，其特征在于，包括多个阵列分布的且相互电连接的GOI测试单元，每个所述GOI测试单元包括：衬底；第一有源区，位于所述衬底表面；浅沟槽隔离区，位于所述衬底内，且位于所述第一有源区外围；第二有源区，位于所述浅沟槽隔离区外围；条状栅极结构，所述条状栅极结构包括栅氧化层及多晶硅层，所述栅氧化层位于所述第一有源区表面，且两端延伸至所述浅沟槽隔离区，所述多晶硅层覆盖于所述栅氧化层表面；源极区，位于所述条状栅极结构一侧的所述第一有源区内；漏极区，位于所述条状栅极结构另一侧的所述第一有源区内；第一金属层，位于所述第二有源区上方，且通过第一连接通孔与所述第二有源区相连接；第二金属层，位于所述第一金属层及所述条状栅极结构上方，且通过第二连接通孔与所述条状栅极结构及所述第一金属层相连接；第三金属层，位于所述第二金属层、所述源极区及所述漏极区上方，且通过第三连接通孔与所述第二金属层、所述源极区及所述漏极区相连接。