发明名称 基体の接合方法
摘要 複数の基体10、20上にそれぞれ形成された金属層12、22同士を第1金属35を含む多孔質体32を介して対向させる工程と、前記多孔質体の表面の前記第1金属を第2金属36に置換する工程と、前記第2金属を加熱することにより、前記金属層同士を接合する工程と、を含む基体の接合方法。
申请公布号 JPWO2015079582(A1) 申请公布日期 2017.03.16
申请号 JP20150550525 申请日期 2013.11.29
申请人 富士通株式会社 发明人 今泉 延弘
分类号 B23K1/00;B22F1/02;B22F7/08;B23K1/008;B23K3/00;B23K3/06;H01L21/60;H05K1/14;H05K3/34;H05K3/36 主分类号 B23K1/00
代理机构 代理人
主权项
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